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微光顯微鏡
EMMI測試系統(tǒng)

EMMI光子微漏電定位分析系統(tǒng)設(shè)備是集成電路失效分析中的重要分析工具,漏電定位對于失效分析者而言是必備工具。在集成電路行業(yè)中,對集成電路可靠性要求很高。芯片在工作中,微漏電現(xiàn)象較為普遍,微弱漏電在極端情況下往往會(huì)無限放大,造成芯片甚至整個(gè)控制系統(tǒng)失效,所以芯片微漏電現(xiàn)象是對于集成電路失效分析中極端重要的一環(huán)。

針對寬禁帶半導(dǎo)體(如GaN與SiC)器件失效分析,森東寶科技有限公司推出了400nm-1000nm響應(yīng)波長的EMMI測試系統(tǒng),能夠?qū)aN HEMT,GaN LEDs,SiC PDs、SiC pn junction, Si MOSFET以及IC芯片等芯片的微安級漏電位置進(jìn)行精確定位。該系統(tǒng)具有小于1um的空間分辨率,能夠?qū)O微弱的光進(jìn)行成像,已經(jīng)在重慶郵電大學(xué),廣東金鑒第三方實(shí)驗(yàn)室,江蘇省產(chǎn)業(yè)研究院,普瑞(無錫)研發(fā)中心和江南大學(xué)等科研院所推廣適用,為幾十家半導(dǎo)體公司提供了測試服務(wù)。

  • 規(guī)格參數(shù)
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系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):

1. 最高量子效率:82%@560 nm

2. 有效分辨率:2048*2048

3. 有效面積:13.312mm*13.312 mm

4. 制冷溫度:10 oC

5. 暗電流: 0.6 electrons/pixel/s

6. 幀速率: 30 Hz

7. 波長范圍:400nm -1100 nm

8. 界面:USB 3.0



以下是測試案例:

 

GaN PDs

 

 

GaN LEDs

 

Si MOSFETs


 

Si FRD

  

 

Si IGBT


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